[发明专利]一种利用气雾化制备铜‑铝‑硅合金粉末的方法及其应用在审
| 申请号： | 201710919738.1 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107737938A | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 王宥宏;刘忆恩 | 申请（专利权）人： | 山西沃特海默新材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B22F9/08 | 分类号： | B22F9/08;C22C9/10;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙)14109 | 代理人： | 冷锦超 |
| 地址： | 030108 山西省太原市综*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明一种利用气雾化制备铜‑铝‑硅合金粉末的方法及其应用，属于锂电池负极材料制备技术领域，提供一种采用气雾化方法制备高性能锂电池的铜‑铝‑硅合金纳米负极材料及其应用，技术方案为一种利用气雾化制备铜‑铝‑硅合金粉末的方法，按照如下步骤进行第一步开启雾化装置的中间包系统，中间包漏嘴内径选用φ6～14mm；第二步，调节熔融态铜‑铝‑硅合金的出炉温度为1300～1700℃；第三步，向中间包中浇入液态金属，气雾化压力10～50MPa，进行气雾化制粉；铜‑铝‑硅合金的成分为按重量份计的硅22～70份，铜20～70份，铝0.5～15份，杂质0～5份；本发明可广泛应用到锂电池负极材料制备领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 雾化 制备 合金 粉末 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种利用气雾化制备铜‑铝‑硅合金粉末的方法，其特征在于按照如下步骤进行：第一步：开启雾化装置的中间包系统，中间包漏嘴内径选用φ6～14mm；第二步，调节熔融态铜‑铝‑硅合金的出炉温度为1300～1700℃；第三步，向中间包中浇入液态金属，气雾化压力10～50MPa，进行气雾化制粉；所述的气雾化的气源或为洁净空气，或为氩气，或为氮气；所述的铜‑铝‑硅合金的成分为按重量份计的：硅22～70份，铜20～70份，铝0.5～15份，杂质0～5份。
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