[发明专利]用于离子束研磨的离子喷射器和透镜系统有效

专利信息
申请号: 201710920105.2 申请日: 2015-08-31
公开(公告)号: CN107768226B 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: 伊凡·L·贝瑞三世;索斯藤·利尔 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/3065;H01L21/67
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 李献忠;张华
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本文涉及用于离子束研磨的离子喷射器和透镜系统,本文的实施例涉及用于对半导体衬底执行离子蚀刻的方法和装置、以及用于形成这样的装置的方法。在一些实施例中,可以制造电极部件,电极部件包含具有不同目的的多个电极,每个电极以机械稳定的方式固定到下个。在电极固定在一起之后可以在每个电极中形成开口,因而保证开口在邻近电极之间良好对准。在一些情况下,电极由简并掺杂硅制成,并且电极部件通过静电键合固定在一起。还可以使用其他电极材料和固定的方法。在一些情况下,电极部件可以包含中空阴极发射极电极,其可以具有截锥形或者其他非圆筒开口形状。在一些情况下,还可以存在腔室衬垫和/或反射器。
搜索关键词: 用于 离子束 研磨 离子 喷射器 透镜 系统
【主权项】:
一种用于蚀刻半导体衬底的装置,所述装置包括:反应室;衬底支撑件;用于向所述反应室供应一种或多种气体或等离子体的入口;第一电极、第二电极和第三电极,每一个在其中具有多个开口,其中所述第二电极位于所述第一电极的下方,并且其中所述第三电极位于所述第二电极的下方;包括多个中空阴极发射极的中空阴极发射极电极,其中所述中空阴极发射极与所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极中的所述开口对准,并且其中所述中空阴极发射极电极位于所述第一电极的上方;和一个或多个射频(RF)源,其被配置为执行以下操作中的一种或多种:(i)在所述中空阴极发射极电极上方产生等离子体,(ii)向所述中空阴极发射极电极施加偏置,(iii)向所述第一电极施加偏置,和/或(iv)向所述第二电极施加偏置。
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