[发明专利]薄膜晶体管及其有源层和应用在审
| 申请号： | 201710923094.3 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN108346702A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 董婷 | 申请（专利权）人： | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/08 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 林青中 |
| 地址： | 510000 广东省广州中*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管的有源层及其有源层和应用。所述有源层由交替层叠的半导体层和导体层构成，所述导体层的层数为至少一层，所述半导体层的层数至少两层；所述导体层位于相邻的两层所述半导体层之间。该有源层在相邻的两层半导体层之间插入导体层，与所述半导体层相比较，所述导体层的电阻较低，由此所述半导体层中的载流子能够通过导体层加速漂移，改善有源层中载流子的输运特性，进而提高有源层中载流子的迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 源层 半导体层 导体层 载流子 两层 薄膜晶体管 漂移 交替层叠 输运特性 迁移率 电阻 应用 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的有源层，其特征在于，由交替层叠的半导体层和导体层构成，所述导体层的层数为至少一层，所述半导体层的层数至少两层；所述导体层位于相邻的两层所述半导体层之间。
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