[发明专利]熔石英元件表面化学结构缺陷的去除方法在审
| 申请号： | 201710924274.3 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107721196A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 戴一帆;石峰;徐明进;周林;廖文林 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | C03C23/00 | 分类号： | C03C23/00;B24B13/00 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008 | 代理人： | 张鲜 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种熔石英元件表面化学结构缺陷的去除方法，包括以下步骤对熔石英元件表面进行Ar离子束溅射处理，Ar离子束能量为800～1000eV；Ar离子束流密度为10～20mA/cm2；Ar离子束入射角度为0°；抛光方式为大束径均匀去除；抛光去除深度为500～800nm，以去除熔石英元件表面的化学结构缺陷。该方法工艺流程简单、可操作性强，在去除熔石英元件表面/亚表面化学结构缺陷的同时能改善表面质量，从而有效提升熔石英元件的抗激光损伤能力。 | ||
| 搜索关键词： | 石英 元件 表面 化学 结构 缺陷 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种熔石英元件表面化学结构缺陷的去除方法，包括以下步骤：对熔石英元件表面进行Ar离子束溅射处理，Ar离子束能量为800～1000eV；Ar离子束流密度为10～20mA/cm2；Ar离子束入射角度为0°；抛光方式为大束径均匀去除；抛光去除深度为500～800nm，以去除熔石英元件表面的化学结构缺陷。
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