[发明专利]一种基于多指SiGe HBT的辐射强度检测器有效

专利信息
申请号: 201710927004.8 申请日: 2017-09-30
公开(公告)号: CN107728190B 公开(公告)日: 2023-09-26
发明(设计)人: 秦国轩;赵政;张一波;党孟娇;王亚楠 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G01T1/24 分类号: G01T1/24
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 杜文茹
地址: 300192*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种基于多指SiGe HBT的辐射强度检测器,包括依次串联连接的:三八译码器、起连接作用的第一排插、可拆卸辐射强度探测阵列、起连接作用的第二排插、滤波器阵列和A/D转换电路阵列和FPGA芯片,FPGA芯片的信号输入端还连接矩阵键盘,FPGA芯片的输出端连接液晶显示器以及连接三八译码器的输入端。可拆卸辐射强度探测阵列是由若干个结构相同的检测单元构成,每一个检测单元的输入端通过第一排插连接三八译码器的输出端,每一个检测单元的输出端通过第二排插连接滤波器阵列的输入端。本发明可以实现对质子辐射、电离辐射和中子辐射辐射强度的快速高效检测。可应用于航空航天,核电站等对辐射敏感的工作区域,也可以应用于日常生产生活中。
搜索关键词: 一种 基于 sige hbt 辐射强度 检测器
【主权项】:
一种基于多指SiGe HBT的辐射强度检测器,其特征在于,包括依次串联连接的:三八译码器(1)、起连接作用的第一排插(2)、可拆卸辐射强度探测阵列(3)、起连接作用的第二排插(4)、滤波器阵列(5)和A/D转换电路阵列(6)和FPGA芯片(7),所述FPGA芯片(7)的信号输入端还连接矩阵键盘(8),所述FPGA芯片(7)的输出端连接液晶显示器(10)以及连接三八译码器(1)的输入端。
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