[发明专利]一种InSe晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201710927704.7 | 申请日： | 2017-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN107919400B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 钟旻;陈寿面 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L29/06;H01L21/34 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种InSe晶体管，包括：栅极；位于栅极上的栅极介电层；位于栅极介电层上的晶体生长衬底层；位于栅极上方的晶体生长衬底层上的InSe薄膜沟道层；围绕InSe薄膜沟道层的InSe保护层，位于栅极两侧上方位置的InSe保护层中设有源漏区；位于InSe薄膜沟道层及InSe保护层上的钝化层，钝化层将InSe薄膜沟道层封闭以与外部隔绝。本发明能够有效防止在晶体管制备工艺过程中易发生的InSe分解问题，并且能够与现有的CMOS工艺兼容，制备工艺简单可行，可方便制备出小尺寸、大规模的InSe晶体管阵列。本发明还公开了一种InSe晶体管的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 inse 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种InSe晶体管，其特征在于，自下而上包括：栅极；位于栅极上的栅极介电层；位于栅极介电层上的晶体生长衬底层；位于栅极上方的晶体生长衬底层上的InSe薄膜沟道层；围绕InSe薄膜沟道层的InSe保护层，位于栅极两侧上方位置的所述InSe保护层中设有源漏区；位于InSe薄膜沟道层及InSe保护层上的钝化层，所述钝化层将InSe薄膜沟道层封闭以与外部隔绝。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710927704.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种异形爬升式烟囱清理机器人
- 下一篇：一种户用旋转送料排烟自控联动装置
- 同类专利
- 专利分类
