[发明专利]垂直堆叠的环栅纳米线晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201710927728.2 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107845684B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 朱正勇;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种垂直堆叠的环栅纳米线晶体管及其制备方法。该方法中先使第一牺牲层与沟道层沿远离衬底的方向交替层叠设置，最外层的第一牺牲层上形成掩膜层，然后使第一牺牲层的裸露表面发生自限制氧化反应形成牺牲氧化层，去除牺牲氧化层，并根据所需栅长重复上述形成牺牲氧化层以及刻蚀牺牲氧化层的步骤，从而通过上述至少一次的自限制氧化反应和对牺牲氧化层的刻蚀的工艺步骤使各第一牺牲层两侧的凹口能够具有基本相同的长度，然后通过在上述凹口中形成栅氧层和栅极，使最终形成的垂直堆叠的环栅纳米线晶体管能够具有相同的栅长，有效地避免了栅长差异对器件性能参数的影响，提高了垂直堆叠的环栅纳米线晶体管的应用竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 堆叠 纳米 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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