[发明专利]一种三明治结构高储能密度聚合物基介电复合材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710928412.5 申请日: 2017-10-09
公开(公告)号: CN107901303B 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 党智敏 申请(专利权)人: 南通洪明电工科技有限公司
主分类号: B29C35/02 分类号: B29C35/02;D01F9/08;B32B27/30;B32B27/06;B32B27/18;B32B33/00
代理公司: 北京鼎承知识产权代理有限公司 11551 代理人: 田恩涛;柯宏达
地址: 226000 江苏省南通市开*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种使用氮化硼纳米片与钛酸铜钙纳米纤维为功能填料,制备具有三明治结构的高储能密度聚合物基介电复合材料的方法。该方法通过静电纺丝技术或水热法制备钛酸铜钙纳米纤维,通过液相超声剥离得到氮化硼纳米片,然后用溶液分散法或熔融共混法将其均匀分散于聚合物基体中,制成薄膜,继而将钛酸铜钙纤维复合薄膜作为中间介电层,氮化硼复合薄膜置于外侧,进行热压处理,制备得到三明治结构的复合材料。本发明提供的制备方法,通过引入高绝缘性氮化硼作为耐受电压层,大幅提高复合材料的击穿强度,而高介电陶瓷钛酸铜钙的加入,又进一步强化了材料的介电性能,从而整体提高复合材料的储能密度。本发明中所制备的复合材料,主要应用于薄膜电容器中的电介质层,提高薄膜电容器的储能性能。
搜索关键词: 一种 三明治 结构 高储能 密度 聚合物 基介电 复合材料 及其 制备 方法
【主权项】:
使用氮化硼纳米片与钛酸铜钙纳米纤维制备三明治结构的高储能密度聚合物基介电复合材料的方法,该方法包括以下步骤:(1)通过静电纺丝法或水热法制备钛酸铜钙纳米纤维;(2)使用剥离后的六方氮化硼陶瓷,得到氮化硼纳米片;(3)将钛酸铜钙纳米纤维和氮化硼纳米片通过溶液分散法或熔融共混法均匀分散于聚合物基体中,然后制成薄膜;(4)将钛酸铜钙复合薄膜作为中间介电层,氮化硼复合薄膜置于外侧,进行热压处理,得到复合材料。
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