[发明专利]发光二极管晶片有效
| 申请号： | 201710929066.2 | 申请日： | 2017-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN108023006B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 郭修邑 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管晶片，包含基板、发光元件、静电防护元件及导电层。发光元件设置于基板上，并包含第一半导体层、第一量子井层及第二半导体层，其中第一量子井层设置于第一半导体层与第二半导体层之间。静电防护元件设置于基板上且至少一间隔位于发光元件与静电防护元件之间，静电防护元件包含第三半导体层、第二量子井层及第四半导体层，其中第二量子井层设置于第三半导体层与第四半导体层之间。第一半导体层与第四半导体层透过导电层电性连接，且第二半导体层与第三半导体层在发光二极管晶片封装前是彼此电性隔离。因此，于发光二极管晶片封装前，可单独对发光元件进行检测，借以降低静电防护元件对检测结果的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管晶片，其特征在于，包含：一基板；一发光元件，设置于该基板上，并包含一第一半导体层、一第一量子井层及一第二半导体层，其中该第一半导体层设置于该基板与该第二半导体层之间，且该第一量子井层设置于该第一半导体层与该第二半导体层之间；一静电防护元件，设置于该基板上且至少一间隔位于该发光元件与该静电防护元件之间，该静电防护元件包含一第三半导体层、一第二量子井层及一第四半导体层，其中该第三半导体层设置于该基板与该第四半导体层之间，且该第二量子井层设置于该第三半导体层与该第四半导体层之间，其中该第一半导体层及该第三半导体层具有第一型掺杂，而该第二半导体层及该第四半导体层具有第二型掺杂；以及一导电层，其中该第一半导体层与该第四半导体层透过该导电层电性连接，且该第二半导体层与该第三半导体层在该发光二极管晶片封装前是彼此电性隔离。
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