[发明专利]电容阵列权重校准的方法在审
申请号: | 201710929685.1 | 申请日: | 2017-10-09 |
公开(公告)号: | CN108631780A | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
发明(设计)人: | 金乐乐;朱循宇 | 申请(专利权)人: | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 |
主分类号: | H03M1/10 | 分类号: | H03M1/10;H03M1/46 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种电容阵列权重校准的方法,该方法包括获得第L位以前的所有位上的校准后的电容的权重,其中,L为大于等于2的自然数;获得第L位以前的所有位上的比特值,所述比特值根据电荷守恒定律获得;将所述L位之前的每一位上的电容的权重与对应位上的比特值相乘,并将所有乘积的和,作为所述第L位上的电容校准后的权重。然后按此方法依次校准之后每一位电容的权重。所述电容阵列的权重通过此方法校准后,即使电容间存在不匹配,最后整个电容阵列仍能表现出很好的线性度,此方法不仅计算简单且适用范围较广。 | ||
搜索关键词: | 权重 校准 电容阵列 电容 电荷守恒定律 相乘 电容校准 线性度 匹配 表现 | ||
【主权项】:
1.一种电容阵列权重校准的方法,包括:获得第L位以前的所有位上的校准后的电容的权重,其中,L为大于等于2的自然数;获得第L位以前的所有位上的比特值;所述比特值根据电荷守恒定律获得;将所述L位以前的每一位上的电容的权重与对应位上的比特值相乘,并将所有乘积的和,作为所述第L位上的电容校准后的权重。
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