[发明专利]半导体装置、驱动电路及显示装置有效
申请号: | 201710930241.X | 申请日: | 2014-02-21 |
公开(公告)号: | CN107731856B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;三宅博之;丰高耕平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G11C19/28;G09G3/36 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 叶培勇;杨美灵 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的一个方式可以提供一种具有高开口率且包括高电荷容量的电容器的半导体装置。本发明的一个方式可以提供一种窄边框的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置,包括:衬底上的晶体管;其上设置有晶体管的栅电极的面上的第一导电膜;其上设置有晶体管的一对电极的面上的第二导电膜;以及与第一导电膜及第二导电膜电连接的第一透光导电膜。第二导电膜隔着第二导电膜与第一导电膜之间的晶体管的栅极绝缘膜与第一导电膜重叠。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 驱动 电路 显示装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:驱动电路,包括:衬底上的栅电极;所述衬底上的第一导电膜;所述栅电极和所述第一导电膜上的第一绝缘膜;所述栅电极上的隔着所述第一绝缘膜的一对电极;所述第一绝缘膜上的第二导电膜;以及所述第一导电膜和所述第二导电膜上的透光导电膜,其中,所述透光导电膜电连接到所述第一导电膜和所述第二导电膜,并且其中,所述第二导电膜与所述第一导电膜重叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710930241.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置
- 下一篇:IE型沟槽栅极IGBT
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的