[发明专利]一种金属网状导电膜的制备方法有效
| 申请号： | 201710930634.0 | 申请日： | 2017-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN107910383B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 容齐坤;辇理;赵杰;张谦;周国富 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司;深圳市国华光电研究院 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01B13/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 唐致明 |
| 地址： | 510631 广东省广州市大学城*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属网状导电膜的制备方法，在制备好的金属网表面沉积一层半导体材料，增加了金属网的与柔性衬底的附着力，提高了金属网状导电膜的使用寿命，能够实现金属网状柔性透明导电薄膜的连续性和大面积生产，能够明显缩短生产周期，大幅度提高生产效率，同时使用本发明的制备方法制备出的金属网状导电膜具有均匀性好、表面的薄膜附着力强、透射率高、电阻低、柔性好等优异的光电性能，突破了传统ITO等导电玻璃在可挠、透明、可弯折、重量等方面的局限性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 网状 导电 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属网状导电膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、取一柔性衬底；S2、在所述柔性衬底上制备纳米小球；S3、刻蚀以拉开所述纳米小球之间的间距；S4、制备金属层；S5、去除所述纳米小球；S6、制备半导体材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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