[发明专利]一种利用文字运算电路和CNFET的三值静态存储器

摘要

本发明公开了一种利用文字运算电路和CNFET的三值静态存储器，包括第一P型CNFET管、第二P型CNFET管、第三P型CNFET管、第四P型CNFET管、第五P型CNFET管、第六P型CNFET管、第七P型CNFET管、第八P型CNFET管、第一N型CNFET管、第二N型CNFET管、第三N型CNFET管、第四N型CNFET管、第五N型CNFET管、第六N型CNFET管、第七N型CNFET管、第八N型CNFET管、第九N型CNFET管、写位线、读位线、写字线、反相写字线、读字线和反相读字线；优点是功耗较低，且可以减小写延时。

主权项

一种利用文字运算电路和CNFET的三值静态存储器，其特征在于包括第一P型CNFET管、第二P型CNFET管、第三P型CNFET管、第四P型CNFET管、第五P型CNFET管、第六P型CNFET管、第七P型CNFET管、第八P型CNFET管、第一N型CNFET管、第二N型CNFET管、第三N型CNFET管、第四N型CNFET管、第五N型CNFET管、第六N型CNFET管、第七N型CNFET管、第八N型CNFET管、第九N型CNFET管、写位线、读位线、写字线、反相写字线、读字线和反相读字线；所述的第一P型CNFET管的源极、所述的第二P型CNFET管的源极、所述的第三P型CNFET管的源极和所述的第五P型CNFET管的源极均接入第一电源；所述的第五N型CNFET管的漏极接入第二电源，所述的第二电源的幅值电平是所述的第一电源的一半，所述的第一P型CNFET管的栅极、所述的第一N型CNFET管的栅极、所述的第二P型CNFET管的栅极、所述的第二N型CNFET管的栅极、所述的第四P型CNFET管的栅极、所述的第四N型CNFET管的栅极、所述的第六P型CNFET管的源极、所述的第七N型CNFET管的源极、所述的第七P型CNFET管的漏极和所述的第八N型CNFET管的漏极连接，所述的第一P型CNFET管的漏极、所述的第一N型CNFET管的漏极、所述的第三P型CNFET管的栅极、所述的第三N型CNFET管的栅极和所述的第六N型CNFET管的栅极连接，所述的第二P型CNFET管的漏极、所述的第二N型CNFET管的漏极和所述的第五P型CNFET管的栅极连接，所述的第三P型CNFET管的漏极和所述的第四P型CNFET管的源极连接，所述的第四P型CNFET管的漏极、所述的第三N型CNFET管的漏极、所述的第四N型CNFET管的漏极与所述的第五N型CNFET管的栅极连接，所述的第五P型CNFET管的漏极、所述的第五N型CNFET管的源极、所述的第六N型CNFET管的漏极、所述的第七P型CNFET管的源极、所述的第八N型CNFET管的源极、所述的第八P型CNFET管的漏极和所述的第九N型CNFET管的漏极连接，所述的第六P型CNFET管的漏极、所述的第七N型CNFET管的漏极和所述的写位线连接，所述的第六P型CNFET管的栅极、所述的第八N型CNFET管的栅极和所述的反相写字线连接，所述的第七P型CNFET管的栅极、所述的第七N型CNFET管的栅极和所述的写字线连接，所述的第八P型CNFET管的源极、所述的第九N型CNFET管的源极和所述的读位线连接，所述的第八P型CNFET管的栅极和所述的反相读字线连接，所述的第九N型CNFET管的栅极和所述的读字线连接，所述的第一N型CNFET管的源极、所述的第二N型CNFET管的源极、所述的第三N型CNFET管的源极、所述的第四N型CNFET管的源极和所述的第六N型CNFET管的源极均接地。