[发明专利]一种等离激元结构衬底及其制备和应用有效
| 申请号： | 201710933104.1 | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107732017B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 方哲宇;杜博文;朱星 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L51/44 | 分类号： | H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离激元结构衬底及其制备和应用。所述等离激元结构衬底包括基底、反射层、绝缘层、金属纳米结构阵列和正负电极，首次利用等离激元场增强原理制备钙钛矿器件增强衬底，通过物理方法使钙钛矿材料实现了在红外光波段的吸收限扩展和在整个吸收区间的增强吸收，避免了由化学掺杂钙钛矿层所带来的负面影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离激元 结构 衬底 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
1.一种等离激元结构衬底，包括基底、反射层、绝缘层、金属纳米结构阵列和正负电极，其中：反射层位于基底之上，绝缘层位于反射层上，金属纳米结构阵列和正负电极位于绝缘层上；正负电极分别位于金属纳米结构阵列区域的两侧，且与金属纳米结构阵列区域有一段间距；所述金属纳米结构阵列中的每个金属纳米结构的厚度为30‑50nm，水平方向上最大长度为200‑500nm，相邻金属纳米结构的间距为100‑250nm。
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