[发明专利]一种基于液态浸泡法增强单层二硫化钼薄膜铁磁性的方法有效
| 申请号： | 201710934027.1 | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107808767B | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 杨森;张垠;姚康康;周超 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/34 |
| 代理公司： | 北京鼎承知识产权代理有限公司 11551 | 代理人： | 张波涛 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种基于液态浸泡法增强单层二硫化钼薄膜铁磁性的方法，包括：1、利用多温区气氛炉制备单层二硫化钼薄膜；2、制备不同浓度的锰离子溶液，将制备好的单层二硫化钼薄膜分别浸入不同浓度的锰离子溶液中，然后对锰离子溶液进行密封处理；3、将浸有单层二硫化钼薄膜的锰离子溶液在50℃‑300℃加热装置中加热1‑4小时；4、将单层二硫化钼薄膜从锰离子溶液中取出吹干。经本公开所述方法处理后的单层二硫化钼具有较强的铁磁性，可从侧面证明掺杂后的单层二硫化钼薄膜发生谷劈裂，跟已有的理论计算结果一致，使单层二硫化钼薄膜具备应用在谷电子学器件的可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 液态 浸泡 增强 单层 二硫化钼 薄膜 铁磁性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于液态浸泡法增强单层二硫化钼薄膜铁磁性的方法，包括如下步骤：1)利用多温区气氛炉制备单层二硫化钼薄膜；2)制备不同浓度的锰离子溶液，将制备好的单层二硫化钼薄膜分别浸入不同浓度的锰离子溶液中，然后对锰离子溶液进行密封处理；3)将浸有单层二硫化钼薄膜的锰离子溶液在50℃‑300℃加热装置中加热1‑4小时；4)将单层二硫化钼薄膜从锰离子溶液中取出吹干。
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