[发明专利]改善的具有沟槽栅的金属氧化物半导体在审
| 申请号： | 201710934238.5 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107895741A | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·托马斯·皮克 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 顾丽波,井杰 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种器件。该器件包括具有第一导电类型的外延层的衬底、第一深度的深沟槽、第二深度的第二导电类型的柱区以及直接位于深沟槽的底表面下方的第三导电类型的阻挡层。第二深度大于第一深度。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 具有 沟槽 金属 氧化物 半导体 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：衬底，其具有第一导电类型的外延层；第一深度的深沟槽；第二深度的第二导电类型的柱区，其中，所述第二深度大于所述第一深度；以及第三导电类型的阻挡层，其直接位于所述深沟槽的底表面下方。
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