[发明专利]双相含Mg高熵半硬磁合金粉体及其制备方法有效
| 申请号： | 201710934581.X | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107661978B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 斯庭智;张庆安;柳东明;李永涛 | 申请（专利权）人： | 安徽工业大学 |
| 主分类号： | B22F1/00 | 分类号： | B22F1/00;C22C30/00;B22F9/04 |
| 代理公司： | 安徽知问律师事务所 34134 | 代理人： | 杜袁成 |
| 地址： | 243002 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双相含Mg高熵半硬磁合金粉体及其制备方法，属于半硬磁材料领域。该半硬磁合金粉体的化学式为MgxTiAlFeNiCr(x＝1.5～2.1)。按化学式分别称取金属粉末原料，其中Mg粉的纯度≥99.5％，其余金属粉末纯度≥99％，所有原料粉末粒度≥200目。将称得的原料粉末倒入不锈钢球磨罐中，机械合金化湿磨80～120h，其中球料比为20:1，控制剂为正庚烷。球磨结束后，在手套箱内抽真空去除正庚烷，得到由α/γ双相组成的高熵半硬磁合金粉末。该方法制备工艺简单、高效、产率高、无污染，制备的高熵合金粉末具有价格低廉、密度小、粒径分布均匀和矫顽力分布稳定的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 双相含 mg 高熵半硬磁 合金粉 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双相含Mg高熵半硬磁合金粉体，其特征在于，所述合金粉体的分子式为MgxTiAlFeNiCr，其中：x＝1.5～2.1；所述合金粉体的平均粒径为2～4μm，HC为130～180Oe。
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