[发明专利]欧姆接触在审
| 申请号： | 201710935866.5 | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107919389A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 奥罗拉·康斯坦特;彼得·科庞 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人： | 吕艳英,姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于氮化镓(GaN)装置的欧姆接触的实施方式可包括与GaN装置直接耦接的包括铝第一层；具有异质结构的GaN，所述异质结构具有未掺杂GaN沟道和半绝缘氮化铝镓(AlGaN)屏障，所有前述项均可操作地与基底耦接；耦接在所述第一层上的包括钛第二层；以及与所述第二层耦接的包括抗漫射材料的第三层。其中钝化层耦接在所述AlGaN屏障与所述欧姆接触的所述第一层之间。其中所述钝化层围绕所述欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆 接触 | ||
【主权项】：
一种用于氮化镓GaN装置的欧姆接触，包括：第一层，所述第一层包括铝并与所述GaN装置直接耦接；所述GaN装置包括异质结构，所述异质结构具有未掺杂GaN沟道、半绝缘氮化铝镓AlGaN屏障以及耦接到所述AlGaN屏障的钝化层，所有前述项均可操作地耦接到基底；第二层，所述第二层包括钛并耦接在所述第一层上；以及第三层，所述第三层包括抗漫射材料并与所述第二层耦接；其中所述钝化层围绕所述欧姆接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司，未经半导体元件工业有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710935866.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
