[发明专利]一种倒装共晶LED阵列的共晶效果评估方法有效
申请号: | 201710935969.1 | 申请日: | 2017-10-10 |
公开(公告)号: | CN109659243B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 郭旺;张卫峰;黄集权;邓种华;刘著光;黄秋凤;陈剑 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人: | 刘元霞;谢怡婷 |
地址: | 350002 *** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种倒装共晶LED阵列的共晶效果评估方法,所述评估方法是依据倒装共晶LED阵列中倒装共晶LED中的芯片和基板之间的结合面积的差异导致的散热差异,对倒装共晶LED阵列的共晶效果进行评估。对于倒装共晶LED阵列中的每个芯片而言,若芯片和基板之间的共晶结合面积大,芯片散热就好,热量不会在芯片上累积,芯片表面温度低,说明所述倒装共晶LED的共晶效果好;反之芯片表面温度高,反之共晶效果不好。根据阵列中各个芯片温度的一致性,评估倒装共晶LED阵列的整体共晶效果是否适合后续封装,无需对倒装共晶LED阵列进行X‑ray探伤检测或超声波探伤检测,节省了检测成本,提高生产效率,非常适合批量生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 倒装 led 阵列 效果 评估 方法 | ||
【主权项】:
1.一种倒装共晶LED阵列的共晶效果评估方法,其特征在于,所述倒装共晶LED阵列包括M×N个倒装共晶LED,所述M×N个倒装共晶LED中的M×N个芯片构成M行N列的阵列结构,其中,M≥1,N≥1,且M和N不同时为1;所述方法包括如下步骤:额定功率下,测试倒装共晶LED阵列中标准倒装共晶LED中的芯片表面的温度T标;同样条件下,测试倒装共晶LED阵列中待测倒装共晶LED中的芯片表面的温度TMN;其中,标准倒装共晶LED中的芯片简记为标准芯片,待测倒装共晶LED中的芯片简记为待测芯片;对比T标和TMN,判断倒装共晶LED阵列的共晶效果。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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