[发明专利]一种倒装共晶LED阵列的共晶效果评估方法有效

专利信息
申请号: 201710935969.1 申请日: 2017-10-10
公开(公告)号: CN109659243B 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 郭旺;张卫峰;黄集权;邓种华;刘著光;黄秋凤;陈剑 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 代理人: 刘元霞;谢怡婷
地址: 350002 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种倒装共晶LED阵列的共晶效果评估方法,所述评估方法是依据倒装共晶LED阵列中倒装共晶LED中的芯片和基板之间的结合面积的差异导致的散热差异,对倒装共晶LED阵列的共晶效果进行评估。对于倒装共晶LED阵列中的每个芯片而言,若芯片和基板之间的共晶结合面积大,芯片散热就好,热量不会在芯片上累积,芯片表面温度低,说明所述倒装共晶LED的共晶效果好;反之芯片表面温度高,反之共晶效果不好。根据阵列中各个芯片温度的一致性,评估倒装共晶LED阵列的整体共晶效果是否适合后续封装,无需对倒装共晶LED阵列进行X‑ray探伤检测或超声波探伤检测,节省了检测成本,提高生产效率,非常适合批量生产。
搜索关键词: 一种 倒装 led 阵列 效果 评估 方法
【主权项】:
1.一种倒装共晶LED阵列的共晶效果评估方法,其特征在于,所述倒装共晶LED阵列包括M×N个倒装共晶LED,所述M×N个倒装共晶LED中的M×N个芯片构成M行N列的阵列结构,其中,M≥1,N≥1,且M和N不同时为1;所述方法包括如下步骤:额定功率下,测试倒装共晶LED阵列中标准倒装共晶LED中的芯片表面的温度T;同样条件下,测试倒装共晶LED阵列中待测倒装共晶LED中的芯片表面的温度TMN;其中,标准倒装共晶LED中的芯片简记为标准芯片,待测倒装共晶LED中的芯片简记为待测芯片;对比T和TMN,判断倒装共晶LED阵列的共晶效果。
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