[发明专利]N型薄膜晶体管及其制备方法、OLED显示面板及其制备方法

摘要

本发明提供一种N型薄膜晶体管及其制备方法、OLED显示面板及其制备方法，薄膜晶体管由下至上包括多晶硅层、栅极层、源极、漏极；其中，多晶硅层包括沟道区，以及沟道区两侧的源极区和漏极区，栅极层位于沟道区上方，且栅极层在多晶硅层上的投影与源极区和漏极区部分重合，源极区和漏极区上方的栅极层厚度，均小于沟道区上方的栅极层厚度；且源极区和漏极区均包含重参杂区和与重参杂区连接的轻参杂区，轻参杂区均位于栅极层下方，源极位于源极区的重参杂区上方且与源极区的重参杂区电性连接，漏极位于漏极区的重参杂区上方且与漏极区的重参杂区电性连接。本发明可以减小薄膜晶体管的漏电流，改善薄膜晶体管的器件特性。

主权项

一种N型薄膜晶体管，其特征在于，由下至上包括：多晶硅层、栅极层、源极、漏极；其中，所述多晶硅层包括沟道区，以及所述沟道区两侧的源极区和漏极区，所述栅极层位于所述沟道区上方，且所述栅极层在所述多晶硅层上的投影与所述源极区和所述漏极区部分重合，所述源极区和所述漏极区上方的栅极层厚度，均小于所述沟道区上方的栅极层厚度；所述源极区和所述漏极区均包含重参杂区和与所述重参杂区连接的轻参杂区，所述轻参杂区均位于所述栅极层下方，所述源极位于所述源极区的重参杂区上方且与所述源极区的重参杂区电性连接，所述漏极位于所述漏极区的重参杂区上方且与所述漏极区的重参杂区电性连接。