[发明专利]一种热氧化结合PECVD提升太阳能电池片转化效率的方法

摘要

本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种热氧化结合PECVD提升太阳能电池片转化效率的方法，包括：1）硅片预清洗、制绒及酸清洗；2）高温磷扩散、湿法刻蚀；3）热氧化处理：方阻控制在95‑120 ohm/squ，二氧化硅层厚度控制在10‑20nm；4）PECVD镀膜：依次沉积Si_xN_y膜、Si_xN_yO膜和SiO_x膜；三步镀膜后膜厚控制在50‑70nm；且热氧化处理和PECVD镀膜后总膜厚控制在60‑90nm，折射率控制在1.9‑2.1；5）背电极和正电极丝网印刷及烧结。本发明方法独创性地将PECVD镀膜工艺与热氧化工艺匹配结合，并且进一步在热氧化基础上提升电池片的转化效率0.1%以上。

主权项

1.一种热氧化结合PECVD提升太阳能电池片转化效率的方法，其特征在于包括以下步骤：1）原始硅片预清洗、制绒及酸清洗；2）高温磷扩散、湿法刻蚀；3）热氧化处理：热氧化处理具体为：初始温度为710‑730℃，经450‑550s升温至770‑790℃；保温氧化10‑25min，氧气流量为3000‑5000sccm，氮气流量10000‑14000sccm，炉管压力为正压状态；然后经750‑850s降温至690‑710℃，氮气流量13000‑15000sccm；热氧化后方阻控制在95‑120 ohm/squ，二氧化硅层厚度控制在10‑20nm；4）PECVD镀膜：第一步，沉积SixNy膜；第二步，沉积SixNyO膜；第三步，沉积SiOx膜；三步镀膜后膜厚控制在50‑70nm；且热氧化处理和PECVD镀膜后总膜厚控制在60‑90nm，折射率控制在1.9‑2.1；5）背电极和正电极丝网印刷及烧结，完成电池片制备。