[发明专利]一种铁电聚合物基电介质薄膜、及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 201710938349.3 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107652588A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 曾一;林元华 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08K3/22;H01G4/20 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铁电聚合物基电介质薄膜、及其制备方法和用途。本发明的铁电聚合物基电介质薄膜含有偏氟乙烯‑六氟丙烯共聚物P(VDF‑co‑HFP)和无机物AlOOH，其中，以体积百分比计，两者的配比为(100‑x)％P(VDF‑co‑HFP)–x％AlOOH，0<x≤10。本发明的铁电聚合物基电介质薄膜具有高击穿场强、高储能密度以及高储能效率，且无铅环保、具有优异的储能性能，适用于高密度储能领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 聚合物 电介质 薄膜 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种铁电聚合物基电介质薄膜，其特征在于，所述电介质薄膜含有偏氟乙烯‑六氟丙烯共聚物P(VDF‑co‑HFP)和无机物AlOOH，其中，以体积百分比计，两者的配比为(100‑x)％P(VDF‑co‑HFP)–x％AlOOH，0<x≤10。
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