[发明专利]多梁式单质量块面内双轴加速度传感器芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201710938806.9 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107796955B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 赵立波;贾琛;蒋维乐;于明智;李支康;王久洪;赵玉龙;蒋庄德 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01P15/12 | 分类号： | G01P15/12 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开多梁式单质量块面内双轴MEMS压阻式加速度传感器芯片及其制备方法，传感器芯片采用SOI硅片制造，包括芯片外框架、主支撑梁、连接梁、副支撑梁、敏感压阻微梁、质量块以及金属引线和焊盘。主支撑梁一端固定于芯片外框架，另一端与连接梁相连，连接梁的另一端与副支撑梁连接，副支撑梁的另一端与质量块相连。芯片中八个敏感压阻微梁位于芯片外框架与连接梁之间的间隙，两两对称分布在主支撑梁两侧，并且一端固定于芯片外框架，另一端与连接梁相连；八个敏感压阻微梁上的压敏电阻通过金属引线和十六个焊盘相连并组成惠斯通全桥电路。本发明传感器芯片可实现100g以下加速度的测量，固有频率达40kHz以上，满足高频低g值加速度动态测量的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 多梁式 单质 量块 面内双轴 加速度 传感器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.多梁式单质量块面内双轴加速度传感器芯片，其特征在于，包括芯片外框架(1)和质量块(6)，质量块(6)设置在芯片外框架(1)内，质量块(6)上连接有两组子梁结构，两组子梁结构的轴线相互垂直，且分别与质量块(6)的两个对称轴同轴，每组子梁结构包括两个子梁结构，每组子梁结构的两个子梁结构关于质量块(6)对称；每个子梁结构包括主支撑梁(3)、副支撑梁(4)、连接梁(5)、敏感压阻微梁(7)以及金属引线(8)，其中，连接梁(5)的一侧对称连接两个副支撑梁(4)，副支撑梁(4)的一端与质量块(6)连接，另一端与连接梁(5)连接，支撑梁(3)设置在连接梁(5)另一侧的中部，一端与连接梁(5)连接，另一端与芯片外框架(1)连接，敏感压阻微梁(7)设置两个，两个敏感压阻微梁(7)分别设置在连接梁(5)两端的末端，敏感压阻微梁(7)的一端与连接梁(5)连接，另一端与芯片外框架(1)连接；每组子梁结构的两个子梁结构的敏感压阻微梁(7)与金属引线(8)连接并形成为惠斯通全桥电路。
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