[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201710940681.3 | 申请日： | 2013-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107731895B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 宣敏喆;朴炳国 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;首尔大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/088;H01L27/12;H01L29/423;H01L29/772;H01L29/78;H01L29/786;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件具有形成在基板上的各个区域中的环栅器件。环栅器件具有处于不同水平面处的纳米线。第一区域中的环栅器件的阈值电压基于相邻的第二区域中的有源层的厚度。第二区域中的有源层可以处于与第一区域中的纳米线基本上相同的水平面处。因此，第一区域中的纳米线可以具有基于第二区域中的有源层的厚度的厚度，或者所述厚度可以不同。当包括超过一个的有源层时，不同区域中的纳米线可以设置在不同的高度处和/或可以具有不同的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：结构，具有顺序地形成在基板上的第一牺牲层、第一有源层、第二牺牲层和第二有源层，其中所述第一有源层的第一宽度大于所述第二有源层的第二宽度，使得所述第一有源层相对于所述第二有源层朝向一侧突出；以及第一环栅器件，在所述第一有源层的突出部分上并且包括第一纳米线，其中所述第一纳米线的厚度等于所述第二有源层的厚度。
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