[发明专利]一种耐水化的疏水半水硫酸钙的合成方法

摘要

本发明提供一种耐水化的疏水半水硫酸钙晶须的合成方法，包括以下步骤：将传统水热法制备的半水硫酸钙晶须与硅烷偶联剂KH570经氢键作用得到表面接枝有KH570的半水硫酸钙晶须，随后又将上述晶须与三羟甲基丙烷三(3‑巯基丙酸)酯(TTMP)经巯基‑烯光固化反应，得到二次改性后的半水硫酸钙晶须，此类晶须是耐水化的疏水半水硫酸钙晶须。本发明所述的耐水化的疏水半水硫酸钙晶须的合成方法新颖，步骤简单，反应迅速且益于环保，具有广阔的市场前景。步骤简单、操作方便、实用性强。

主权项

1.一种耐水化的疏水半水硫酸钙的合成方法，其特征在于，包括：在硅烷偶联剂改性的半水硫酸钙晶须表面接枝引入三羟甲基丙烷三(3‑巯基丙酸)酯TTMP，即得耐水化的疏水半水硫酸钙；所述硅烷偶联剂为带双键的硅烷偶联剂；所述半水硫酸钙晶须：带双键的硅烷偶联剂的质量比为1:1～1:8。