[发明专利]一种自旋多数门器件及逻辑电路有效
| 申请号： | 201710942056.2 | 申请日： | 2017-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN107732005B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 游龙;李欣 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 廖盈春;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自旋多数门器件及逻辑电路，自旋多数门器件包括三个输入MTJ和一个输出MTJ，三个输入MTJ的自由层和输出MTJ自由层相互连接，三个输入MTJ自由层磁化方向由注入电流的方向和大小决定，输出MTJ自由层磁化方向受其他三个MTJ自由层磁化方向的共同影响，输出MTJ自由层磁化方向和固定层磁化共同决定其阻态。通过向重金属层注入平行于膜面的电流改变固定层磁化方向，从而改变输出MTJ的阻态。通过将前一个自旋多数门器件自由层与后一个自旋多数门器件自由层通过连接桥连接，并向前一个自旋多数门器件的输出MTJ注入传递电流，实现两个自旋多数门器件的信息互联。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自旋 多数 器件 逻辑电路 | ||
【主权项】：
一种扩展磁性隧道结，其特征在于，包括：依次重叠排列的重金属层、固定层、隧穿层以及自由层，所述固定层、所述隧穿层以及所述自由层构成的利用自旋轨道力矩的垂直磁各向异性磁性隧道结；向所述重金属层通入平行于膜面的电流，通过自旋霍尔效应使得积累的自旋极化电流作用固定层中，改变固定层的磁化方向，从而改变所述扩展磁性隧道结器件阻态，实现非逻辑功能。
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