[发明专利]一种碳化硅器件结终端制作方法

摘要

本发明提供一种碳化硅器件结终端制作方法，其中包括步骤一、提供SiC衬底，并沉积氧化物介质层，用于作为第一干法刻蚀的硬掩膜层；步骤二、在氧化物介质层上旋涂光刻胶，并形成刻蚀图形；步骤三、对氧化物介质层进行第一干法刻蚀并调控工艺参数，将刻蚀图形转移到氧化物介质层并形成第一刻蚀斜坡台面；步骤四、将第一干法刻蚀后的氧化物介质层作为第二干法刻蚀的硬掩膜层，对SiC衬底进行第二干法刻蚀并控制工艺参数，将刻蚀图形转移到SiC衬底并形成第二刻蚀斜坡台面；步骤五、进行湿法刻蚀，去除残留的氧化物介质层以及光刻胶残留层，形成用于结终端的缓坡台面。本发明能够有效缓解结边缘电场集中效应，提高器件工作的可靠性。

主权项

一种碳化硅器件结终端制作方法，其特征在于，包括：步骤一、提供SiC衬底，并在所述SiC衬底上沉积氧化物介质层，用于作为第一干法刻蚀的硬掩膜层；步骤二、在所述氧化物介质层上旋涂光刻胶，并形成刻蚀图形；步骤三、对所述氧化物介质层进行第一干法刻蚀，并调控所述第一干法刻蚀的工艺参数，将所述刻蚀图形转移到所述氧化物介质层并形成第一刻蚀斜坡台面；步骤四、将所述第一干法刻蚀后的氧化物介质层作为第二干法刻蚀的硬掩膜层，对所述SiC衬底进行第二干法刻蚀并控制所述第二干法刻蚀的工艺参数，将所述刻蚀图形转移到所述SiC衬底并形成第二刻蚀斜坡台面；步骤五、进行湿法刻蚀，去除残留的所述氧化物介质层以及光刻胶残留层，形成用于结终端的缓坡台面。