[发明专利]掺杂金属和氧化铝的氧化镁二次电子发射薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201710942860.0 | 申请日： | 2017-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN107740044B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 胡文波;高步宇;李洁;郝玲;吴胜利 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺杂金属和氧化铝的氧化镁二次电子发射薄膜及其制备方法。该二次电子发射薄膜由三层薄膜组成，即包括处于底层的掺杂金属材料的氧化镁膜层、处于中间层的掺杂氧化铝的氧化镁膜层和处于顶层的纯氧化镁膜层。采用溅射法制备二次电子发射薄膜的各个膜层，在依次沉积这些膜层时，将金属基底保持在200‑550℃之间的某一温度，镀膜腔中同时通入氩气和氧气，将镀膜腔保持在0.2‑1Pa之间的某一气压。采用这种方法制备的二次电子发射薄膜的表面具有较低的粗糙度和适中的氧化镁晶粒尺寸，而且在中间层的氧化镁中掺杂适量的氧化铝可减小氧化镁的禁带宽度，改善薄膜的电子输运特性，从而使二次电子发射薄膜具有高的二次电子发射性能。 | ||
| 搜索关键词： | 二次电子发射 薄膜 氧化镁 氧化铝 膜层 制备 氧化镁膜层 掺杂 掺杂金属 镀膜腔 中间层 二次电子发射性能 电子输运特性 氧化镁晶粒 金属材料 薄膜组成 纯氧化镁 氩气 粗糙度 金属基 顶层 沉积 减小 溅射 禁带 气压 三层 氧气 | ||
【主权项】：
1.掺杂金属和氧化铝的氧化镁二次电子发射薄膜，其特征在于：该二次电子发射薄膜由三层薄膜组成，即处于底层的掺杂金属材料的氧化镁膜层(1)、处于中间层的掺杂氧化铝的氧化镁膜层(2)和处于顶层的纯氧化镁膜层(3)；掺杂金属材料的氧化镁膜层(1)的厚度为30‑300nm，掺杂氧化铝的氧化镁膜层(2)的厚度为5‑40nm，纯氧化镁膜层(3)的厚度为7‑20nm；掺杂氧化铝的氧化镁膜层(2)中铝元素的摩尔百分比含量为2％‑10％。
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