[发明专利]一种晶圆背孔光刻胶填充方法在审
| 申请号： | 201710942896.9 | 申请日： | 2017-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN107731904A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 王珺楠 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰,张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆背孔光刻胶填充方法，包括以下步骤S1、采用真空加热的方式去除晶圆背孔中的水汽；S2、步骤S1结束后1min内，在晶圆背面旋涂CP值为1～50的光刻胶；S3、对晶圆进行第一次预烘烤，使得第一次旋涂的光刻胶固化；S4、在固化的光刻胶上旋涂CP值为1600～1800的光刻胶；S5、对晶圆进行第二次预烘烤，使得第二次旋涂的光刻胶固化，从而完成背孔的填充。本发明先旋涂CP值低的光刻胶，其高解析度和高流动性使其能均匀的平铺在晶圆表面，保证对背孔侧壁和背孔底部的镀金进行覆盖保护；再旋涂CP值高的光刻胶，其低解析度和低流动性使其能攀附在晶圆表面，保证对背孔附近镀金进行覆盖保护，提高了晶圆的成品率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆背孔 光刻 填充 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆背孔光刻胶填充方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、采用真空加热的方式去除晶圆背孔中的水汽；S2、步骤S1结束后1min内，在晶圆背面旋涂CP值为1～50的光刻胶；S3、对晶圆进行第一次预烘烤，使得第一次旋涂的光刻胶固化；S4、在固化的光刻胶上旋涂CP值为1600～1800的光刻胶；S5、对晶圆进行第二次预烘烤，使得第二次旋涂的光刻胶固化，从而完成背孔的填充。
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