[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在制造半导体装置的方法中，在衬底上形成第一有源鳍片至第三有源鳍片。第一有源鳍片至第三有源鳍片中的每一个在第一方向上延伸，且第二有源鳍片、第一有源鳍片及第三有源鳍片在第二方向上以此顺序设置，第二方向与第一方向交叉。使用第一蚀刻掩模来移除第二有源鳍片，第一蚀刻掩模覆盖第一有源鳍片及第三有源鳍片。使用第二蚀刻掩模来移除第三有源鳍片，第二蚀刻掩模覆盖第一有源鳍片及衬底的被移除第二有源鳍片的一部分。在第一有源鳍片上形成第一栅极结构。在与第一栅极结构相邻的第一有源鳍片的一部分上形成第一源极/漏极层。本发明的半导体装置可具有高的集成度及小的面积。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上形成第一有源鳍片至第三有源鳍片，所述第一有源鳍片至所述第三有源鳍片中的每一个在第一方向上延伸，所述第一方向实质上平行于所述衬底的上表面，且所述第二有源鳍片、所述第一有源鳍片及所述第三有源鳍片在第二方向上以此顺序设置，所述第二方向实质上平行于所述衬底的所述上表面且与所述第一方向交叉；使用第一蚀刻掩模来移除所述第二有源鳍片，所述第一蚀刻掩模覆盖所述第一有源鳍片及所述第三有源鳍片；使用第二蚀刻掩模来移除所述第三有源鳍片，所述第二蚀刻掩模覆盖所述第一有源鳍片及所述衬底的被移除所述第二有源鳍片的一部分；在所述第一有源鳍片上形成第一栅极结构；以及在与所述第一栅极结构相邻的所述第一有源鳍片的一部分上形成第一源极/漏极层。