[发明专利]一种高热导、高电阻液相烧结碳化硅陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 201710943996.3 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109592984B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 姚秀敏;陈健;杨勇;刘学建;黄政仁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622;C04B35/638;C04B35/645 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种高热导、高电阻液相烧结碳化硅陶瓷及其制备方法，以SiC粉体作为原料粉体，以氧化铝前驱体和氧化镱前驱体作为烧结助剂，通过热压烧结制备得到所述碳化硅陶瓷。本发明通过添加Al |
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| 搜索关键词： | 一种 高热 电阻 烧结 碳化硅 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种液相烧结碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，以SiC粉体作为原料粉体，以氧化铝前驱体和氧化镱前驱体作为烧结助剂，通过热压烧结制备得到所述碳化硅陶瓷。
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