[发明专利]具有快速恢复保护的静电放电保护环有效
| 申请号： | 201710944360.0 | 申请日： | 2017-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN107946295B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | S·金;D·莱弗提斯;S·斯瑞达;S·彭德哈卡 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种静电放电(ESD)保护结构，其可向一个或多个高电压电路部件提供快速恢复保护。ESD保护结构可以沿着高电压电路(202)的周边区域(204)诸如驱动器电路的高侧栅极驱动器集成。ESD保护结构包括与高电压装置的PN结(359)接合的双极晶体管结构(350)，该双极晶体管结构(350)被配置为在ESD事件期间将ESD电流放电。双极晶体管结构具有与PN结重叠的集电极区域(361)、嵌入足够的夹持电阻以发动快速恢复保护的基极区域(373)以及用于将ESD电流放电的发射极区域(354)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 快速 恢复 保护 静电 放电 保护环 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：半导体衬底，其具有第一导电类型并具有限定电路区域和横向围绕所述电路区域的周边区域的顶表面；掩埋层，其在所述顶表面下方且位于所述电路区域内并且与所述周边区域相邻，所述掩埋层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；以及周边结构，其位于所述周边区域内且与所述顶表面相邻，所述周边结构包括具有所述第一导电类型的第一接触区域和具有所述第二导电类型的第二接触区域，所述第二接触区域介于所述掩埋层和所述第一接触区域之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
