[发明专利]一种全光二极管实现方法在审
| 申请号： | 201710944450.X | 申请日： | 2017-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN107728402A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 刘彬;胡金凤;梁红勤 | 申请（专利权）人： | 南昌航空大学 |
| 主分类号： | G02F1/35 | 分类号： | G02F1/35;G02F1/365;G02B5/00 |
| 代理公司： | 南昌市平凡知识产权代理事务所36122 | 代理人： | 张文杰 |
| 地址： | 330063 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全光二极管实现方法，在介质波导与两侧背景的金属构成的金属‑介质‑金属表面等离激元波导结构的旁侧设计一个Fano短腔；在Fano短腔附近的表面介质波导中增加反射层，并且反射层的位置向介质波导正对Fano短腔位置偏离；以改变Fano短腔的折射率，使正向入射由反射状态变成透射状态；而从反向入射端口入射的光在此光强下还处于截止状态，从而实现全光二极管功能正向导通和反向截止的功能。本发明可以通过适当调整Fano短腔的腔长来调节工作波段，并且不需要外界泵浦激励，为光无源器件，便于集成于全光网络中，因此具有较大的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 实现 方法 | ||
【主权项】：
一种全光二极管实现方法，其特征在于，在介质波导与两侧背景的金属构成的金属‑介质‑金属表面等离激元波导结构的旁侧设计一个Fano短腔；在Fano短腔附近的表面介质波导中增加反射层，并且所述反射层的位置向介质波导正对Fano短腔位置偏离10‑20nm；入射光工作波长选择在靠近Fano短腔共振峰右侧的反射区域内；从正向入射端口入射的光强达到激发Fano短腔的非线性克尔效应的功率阈值，以改变Fano短腔的折射率，使正向入射由反射状态变成透射状态；而从反向入射端口入射的光在此光强下还处于截止状态，从而实现全光二极管功能正向导通和反向截止的功能。
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