[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201710946069.7 | 申请日： | 2017-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN108630257B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 金庚焕;李东郁 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/22 | 分类号： | G11C7/22 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体器件包括：第一模式信号生成电路，其适用于响应于命令来生成第一模式信号，在根据第一MOS晶体管的电流特性确定的第一时段比由第一无源元件确定的第二时段更长的情况下，第一模式信号被使能；以及第二模式信号生成电路，其适用于响应于命令来生成第二模式信号，在由第二无源元件确定的第三时段比根据第二MOS晶体管的电流特性确定的第四时段更长的情况下，第二模式信号被使能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：第一模式信号生成电路，其适用于响应于命令来生成第一模式信号，在根据第一MOS晶体管的电流特性确定的第一时段比由第一无源元件确定的第二时段更长的情况下，第一模式信号被使能；以及第二模式信号生成电路，其适用于响应于所述命令来生成第二模式信号，在由第二无源元件确定的第三时段比根据第二MOS晶体管的电流特性确定的第四时段更长的情况下，第二模式信号被使能。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710946069.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种录音设备及其控制方法
- 下一篇：嵌入式存储器及集成电路
