[发明专利]具有存储器结构的半导体元件有效
| 申请号： | 201710946219.4 | 申请日： | 2017-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109659429B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 李岱萤;赖二琨;李峰旻 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/00 | 分类号： | H10N70/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件，包括一基板和一存储器结构，该存储器结构设置于基板上。该存储器结构包括：一底电极，设置于基板上方；一势垒层，设置于底电极上；一电阻转换层，设置于底电极上且位于势垒层上方；以及一顶电极，设置于电阻转换层上，并覆盖电阻转换层。其中电阻转换层的一底表面与势垒层的一最上表面相隔开一距离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 存储器 结构 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：一基板；以及一存储器结构，设置于该基板上，该存储器结构包括：一底电极(bottom electrode)，设置于该基板上方；一势垒层(barrier layer)，设置于该底电极上；一电阻转换层(resistance switching layer)，设置于该底电极上且位于该势垒层上方，其中该电阻转换层的一底表面与该势垒层的一最上表面(an uppermost surface)相隔开一距离；以及一顶电极(top electrode)，设置于该电阻转换层上，并覆盖该电阻转换层。
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