[发明专利]P型PERC双面太阳电池的制作方法有效

专利信息
申请号: 201710946553.X 申请日: 2017-10-12
公开(公告)号: CN107910398B 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 樊华;吴俊清;李慧;俞超;徐强 申请(专利权)人: 环晟光伏(江苏)有限公司
主分类号: H01L31/068 分类号: H01L31/068;H01L31/18
代理公司: 南京天华专利代理有限责任公司 32218 代理人: 刘畅;徐冬涛
地址: 214203 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种P型PERC双面太阳电池的制作方法,其特征在于包括以下步骤:①晶硅表面制绒;②扩散;③去PSG和单晶抛光;④背面沉淀钝化膜;⑤正面沉积减反射膜;⑥背面激光刻划接触区;⑦背面印刷背电极和铝栅线;⑧正面印刷银栅线;⑨高温烧结。本发明对传统产线进行改造升级,实现太阳电池产品由单面太阳电池向双面太阳电池的转变,增加太阳电池的PN结面积,提高太阳光的利用率,增加太阳电池的闭路电流,达到提高效率的目的。双面PERC电池铝浆料用量约为单面PERC电池的20‑30%。
搜索关键词: perc 双面 太阳电池 制作方法
【主权项】:
一种P型PERC双面太阳电池的制作方法,其特征在于包括以下步骤:①晶硅表面制绒:选择P型硅片,对选择的P型硅片的双面在碱液下进行表面绒面化,然后在酸性条件下进行化学清洗,除去表面杂质;②扩散:采用B、P共扩工艺,正面P扩散,背面B扩散,硅片两片为一组,每组硅片采用竖直背靠背的方式进行扩散,两片硅片背面之间插入纸状固态源B源,正面采用通三氯氧磷的方式进行正面磷扩散;推进扩散炉在进行高温共扩散,使硅片的正面形成n+掺杂层,背面形成p+掺杂层;③去PSG和单晶抛光:刻蚀工序清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和单晶背面抛光;④背面沉淀钝化膜:背面单面依次沉积氧化铝/氮化硅叠层膜;⑤正面沉积减反射膜:正面沉积氮化硅减反射膜;⑥背面激光刻划接触区:背面局部打开薄膜,背面激光图形设计:光斑直径:10‑35μm,激光线的间距:500‑700μm;⑦背面印刷背电极和铝栅线,背面采用铝栅线设计,铝背场网版设计:铝栅线宽度:100‑300μm,副栅根数:96‑115根;⑧正面印刷银栅线;⑨高温烧结。
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