[发明专利]一种氧化锡基半导体薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710947178.0 | 申请日： | 2017-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN107731930A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;刘贤哲;姚日晖;胡诗犇;张啸尘;李晓庆;张建东;徐苗;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种氧化锡基半导体薄膜晶体管及其制备方法。所述氧化锡基半导体薄膜晶体管由玻璃基板、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成，所述的有源层为非晶掺硅氧化锡薄膜。本发明以非晶掺硅氧化锡作为有源层，所得TFT器件无需退火即可获得不错的器件性能，有效地节约生产成本。具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 半导体 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化锡基半导体薄膜晶体管，由玻璃基板、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成，其特征在于：所述的有源层为非晶掺硅氧化锡薄膜。
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