[发明专利]一种纳米级晶体硅及其制备方法在审
| 申请号： | 201710947779.1 | 申请日： | 2017-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN107473228A | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 张宝顺;宗冰;丁小海;陈文胜;王体虎 | 申请（专利权）人： | 亚洲硅业（青海）有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人： | 梁香美 |
| 地址： | 810007 青海省西*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体硅制备技术领域，公开了一种纳米级晶体硅及其制备方法。纳米级晶体硅的制备方法包括将氯硅烷、硅烷等含硅气体混合氢气通入到等离子体发生器中，利用等离子体发生器的电磁场使混合气体形成等离子体，其具有较高的活性并发生反应，在等离子发生器中产生纳米级的硅颗粒。利用该方法制备纳米级晶体硅，由于硅颗粒是直接由等离子态的反应物反应生成，不经过破碎等工序，反应过程在等离子体发生器内，所以不易产生粉尘，也不易引入杂质。生产出的纳米级晶体硅纯度高、收率高，晶格缺陷少，性能优越。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米级晶体硅的制备方法，其特征在于，其包括：反应步骤：将含硅气体与氢气一同在等离子体发生器的电磁场下形成等离子体并反应，产生纳米级硅颗粒和尾气；所述含硅气体包括氯硅烷气体、硅烷气体中的至少一种。
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