[发明专利]一种高速大输出摆幅驱动电路在审

专利信息
申请号: 201710948262.4 申请日: 2017-10-12
公开(公告)号: CN107819445A 公开(公告)日: 2018-03-20
发明(设计)人: 黄浩;董小辉;胡永明;顾豪爽 申请(专利权)人: 湖北大学
主分类号: H03F1/42 分类号: H03F1/42;H03F3/42
代理公司: 武汉帅丞知识产权代理有限公司42220 代理人: 朱必武,王玉
地址: 430062 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开一种高速大输出摆幅驱动电路,包括用于电平位移和阻抗匹配的第一级射极跟随器电路、用于对输入信号进行放大并提供足够带宽的第二级差分结构共射放大器电路。第一级射极跟随器电路包括Q1和Q2构成的射极跟随器、偏置电流源、阻抗匹配电阻R1和R2;偏置电流源是采用二极管连接方式的M1/M4以及交叉耦合的M2/M3并联结构;第二级差分结构共射放大器电路包括差分结构的共射放大器的主放管Q3和Q4、R3/M5和R4/M6构成呈电感特性的大电阻驱动源极跟随器。采用二极管连接方式MOS管和交叉耦合MOS管并联、栅极带大电阻的MOS器件构成有源电感,构成的驱动器电路具有高速大输出摆幅的优点,提高了增益,改善了线性度并拓展电路带宽,节省芯片面积并降低成本。
搜索关键词: 一种 高速 输出 驱动 电路
【主权项】:
一种高速大输出摆幅驱动电路,包括:用于电平位移和阻抗匹配的第一级射极跟随器电路、用于对输入信号进行放大并拓展带宽的第二级差分结构共射放大器电路;其特征在于:所述第一级射极跟随器电路包括:MOS管Q1和Q2构成的射极跟随器、阻抗匹配电阻R1和R2;还包括:Q1和Q2的偏置电流源,所述偏置电流源是采用二极管连接方式的MOS管M1/M4以及交叉耦合的MOS管M2/M3并联结构;所述交叉耦合的MOS管M2/M3并联结构用于在电路中形成负阻,所述射极跟随器用于将输入信号的直流电平降低为内部电路可以直接处理的值;所述第二级差分结构共射放大器电路包括:差分结构的共射放大器的主放管Q3和Q4、R3/M5和R4/M6构成的大电阻驱动源极跟随器;所述Q3的集电极端是输出节点OUT,Q4的集电极端是输出节点OUTN;所述Q3和Q4为双极型晶体管,M5和M6为MOS管。
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