[发明专利]半导体器件及利用突变异质结形成金刚石p型导电沟道的方法在审
| 申请号： | 201710948663.X | 申请日： | 2017-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN107731915A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 王晶晶;冯志红;蔚翠;周闯杰;刘庆彬;何泽召 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L29/16;H01L21/336 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 陆林生 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及利用突变异质结形成金刚石p型导电沟道的方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述方法包括在衬底上形成高阻金刚石层；在所述高阻金刚石层的上表面形成具有受主特性的一层或多层异质单质或化合物，在所述金刚石与受主层的界面处形成一个异质结，在所述金刚石的一侧近结10nm‑20nm处形成二维空穴气，利用二维空穴气作为p型导电沟道。所述方法可使p型金刚石材料沟道内的载流子浓度和迁移率在0℃‑1000℃范围内保持稳定，进而实现金刚石器件在高温环境下正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 利用 突变 异质结 形成 金刚石 导电 沟道 方法 | ||
【主权项】：
一种利用突变异质结形成金刚石p型导电沟道的方法，其特征在于包括如下步骤：在衬底（1）上形成高阻金刚石层（2）；将所述高阻金刚石处理为氢终端金刚石，使其上表面具有C‑H键；在所述氢终端金刚石层的上表面形成具有受主特性的一层或多层异质单质或化合物，在所述氢终端金刚石与受主层（3）的界面处形成一个异质结，在所述氢终端金刚石层的一侧近结10nm‑20nm处形成二维空穴气（4），利用二维空穴气（4）作为p型导电沟道。
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