[发明专利]半导体器件及利用异质结形成金刚石n型导电沟道的方法在审
| 申请号： | 201710948671.4 | 申请日： | 2017-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN107731916A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 王晶晶;冯志红;蔚翠;周闯杰;刘庆彬;何泽召 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L29/16;H01L21/336 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 王丽巧 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及利用异质结形成金刚石n型导电沟道的方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述方法包括在衬底上形成高阻金刚石层；在所述高阻金刚石层的上表面沉积具有施主特性且组分缓变的三元化合物形成第一施主层，在所述金刚石层与第一施主层的界面处形成一个缓变异质结，在金刚石一侧，近结处形成二维电子气，利用二维电子气作为n型导电沟道。所述方法可使n型金刚石材料沟道内的载流子浓度和迁移率分别达到1013cm‑2和2000cm2/Vs。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 利用 异质结 形成 金刚石 导电 沟道 方法 | ||
【主权项】：
一种利用异质结形成金刚石n型导电沟道的方法，其特征在于包括如下步骤：在衬底（1）上形成高阻金刚石层（2）；在所述高阻金刚石层（2）的上表面沉积具有施主特性且组分缓变的三元化合物形成第一施主层（3），在所述金刚石层（2）与第一施主层（3）的界面处形成一个缓变异质结，在金刚石一侧，近结处形成二维电子气（4），利用二维电子气作为n型导电沟道。
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