[发明专利]一种铜铟镓基光电探测器有效
申请号: | 201710948681.8 | 申请日: | 2017-10-12 |
公开(公告)号: | CN107731943B | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 黄晓敏 | 申请(专利权)人: | 宝应电工厂 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 225800 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种新颖的基于铜铟镓硒和铜铟镓硫的光电探测器,形成一层复合功能层,所述复合功能层包括铜铟镓硒和铜铟镓硫相接触的部分转变为铜铟镓硒硫,并且成分在横向方向上渐变,对功能层进行了改性,并调整其电学性能,使其满足光电探测器的要求,进一步提升了探测器的灵敏度,使得传感器的稳定性得到了很大的提升。 | ||
搜索关键词: | 一种 铜铟镓基 光电 探测器 | ||
【主权项】:
1.一种铜铟镓基光电探测器,其特征在于,包含:绝缘性柔性基板,所述绝缘性柔性基板表面具有一层金属层;金属层上形成横向包括间隔排列的铜铟镓硒和铜铟镓硫的光吸收层,且形成之后经过退火,使铜铟镓硒和铜铟镓硫相接触的部分转变为铜铟镓硒硫,并且成分在横向方向上渐变;所述光吸收层上的透明导电氧化物层;所述透明导电氧化物层上的金属栅电极,用于收集电流;包括间隔排列的铜铟镓硒和铜铟镓硫的光吸收层由下列方法制备:先在绝缘性柔性基板表面上的金属层上制备铜铟镓硫层,然后通过掩膜刻蚀掉部分铜铟镓硫层,形成间隔排列的铜铟镓硫,在被刻蚀掉铜铟镓硫的部分形成铜铟镓硒,然后去除掩膜并进行表面平坦化,表面平坦化后进行退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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