[发明专利]一种碲镉汞红外焦平面探测器的失效分析方法有效
| 申请号： | 201710950103.8 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107907812B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 廖清君;刘丹;钟艳红;林春;胡晓宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/28;G01N21/84;G01N1/32 |
| 代理公司： | 31311 上海沪慧律师事务所 | 代理人： | 李秀兰<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碲镉汞红外焦平面探测器的失效分析方法。先将碲镉汞红外焦平面探测器中的碲镉汞红外光敏芯片与读出电路用切割的方式进行分离，通过宝石电极基板对碲镉汞红外光敏芯片进行电流电压测试；保护不需要观测的结构，对碲镉汞红外焦平面探测器的衬底去除后露出碲镉汞表面，用配制的腐蚀液逐层腐蚀碲镉汞，观察碲镉汞结区、钝化层及倒焊等界面，与焦平面测试结果和电流电压测试结果进行对比，获取器件失效的工艺原因。采用该方法可以对成型后的碲镉汞红外焦平面探测器的性能失效进行逆向工艺分析，对碲镉汞进行逐层腐蚀逐层观测，定位失效的工艺原因，从而改进工艺，进一步提高器件的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲镉汞 红外 平面 探测器 失效 分析 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碲镉汞红外焦平面探测器的失效分析方法，其特征在于包括如下步骤：/n1)碲镉汞红外光敏芯片(21)与读出电路(22)分离：从切割分离线(24)处切割宝石电极基板(23)将碲镉汞红外光敏芯片(21)与读出电路(22)进行分离，通过宝石电极基板(23)上的光敏元端电极(25)和公共端电极(26)金属引线，对碲镉汞红外光敏芯片(21)进行低温电流电压测试；/n2)样品保护：用光致抗蚀剂保护碲镉汞红外焦平面探测器不需要逐层腐蚀的部分，仅露出需要进行失效分析的碲镉汞红外光敏芯片(21)；/n3)衬底去除：采用选择性湿法腐蚀工艺将碲镉汞红外焦平面探测器中碲镉汞红外光敏芯片(21)的衬底去除；/n4)配置碲镉汞腐蚀液：将500毫升氢溴酸倒入玻璃烧杯中，抽取5毫升的溴在氢溴酸中搅拌混合均匀，将配制好的腐蚀液放入冰水混合物中冷却10～20分钟；/n5)碲镉汞逐层腐蚀：将衬底去除的碲镉汞红外焦平面探测器放入腐蚀液中对碲镉汞进行逐层腐蚀，腐蚀液对碲镉汞的腐蚀速率约为2.5～3.5μm/min，每一层的腐蚀时间根据需要观察的界面进行选择；/n6)在显微镜下对腐蚀表面进行观测，与器件焦平面测试结果和电流电压测试结果进行对比，获取器件失效的工艺原因。/n
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