[发明专利]用于高带宽内存应用的中介层加热器有效
申请号: | 201710951063.9 | 申请日: | 2017-10-13 |
公开(公告)号: | CN107946290B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | W·绍特;I·阿尔索夫斯基 | 申请(专利权)人: | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L27/108;H01L23/34;H01L23/367;H01L21/98 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及用于高带宽内存应用的中介层加热器,提供一种用于整合加热器于高带宽内存(HBM)应用中的方法及该相关的装置。实施例包含形成硅(Si)中介层于衬底的上方、形成高带宽内存及集成电路(IC)于该硅中介层的上方、形成加热器在该高带宽内存及硅中介层之间的空间中该硅中介层上、以及使用于该高带宽内存中的一个或一个以上的温度传感器以监测该高带宽内存的温度。 | ||
搜索关键词: | 用于 带宽 内存 应用 中介 加热器 | ||
【主权项】:
一种方法,包括:形成硅(Si)中介层于衬底的上方;形成高带宽内存(HBM)及集成电路(IC)于该硅中介层的上方;形成加热器在该高带宽内存及硅中介层之间的空间中的该硅中介层上;以及使用于该高带宽内存中的一个或一个以上的温度传感器以监测该高带宽内存的温度。
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