[发明专利]基于周期性极化铌酸锂脊型波导结构的电光偏振旋转器有效
| 申请号： | 201710952220.8 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107505736B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 郑远林;孙启超;丁婷婷;陈险峰 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03;G02F1/035 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王毓理;王锡麟 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种电光偏振旋转器，包括：依次设置于铌酸锂基底上的二氧化硅层、铌酸锂晶体薄膜层和绝缘介质保护层，铌酸锂晶体薄膜层中设有周期性的铌酸锂脊型波导、划槽以及设置于划槽内的嵌入式电极，藉由在铌酸锂脊型波导的侧面方向上施加电场，通过横向电光效应，实现输入光在铌酸锂脊型波导中的偏振旋转。本发明利用周期性极化铌酸锂脊型波导结构，具有电光控制、体积小、驱动电压低、响应速度快、偏振精度高、可集成、损伤阈值高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 周期性 极化 铌酸锂脊型 波导 结构 电光 偏振 旋转 | ||
【主权项】：
1.一种电光偏振旋转器，其特征在于，包括：依次设置于铌酸锂基底上的二氧化硅层、铌酸锂晶体薄膜层和绝缘介质保护层，其中：铌酸锂晶体薄膜层中设有周期性的用于减少电极之间间距的铌酸锂脊型波导、基于高精度光学级划片工艺的划槽以及设置于划槽内的嵌入式电极，藉由在铌酸锂脊型波导的侧面方向上施加电场，通过横向电光效应，实现输入光在铌酸锂脊型波导中的偏振旋转；所述的电光偏振旋转器进一步设有封装结构，该封装结构包括基座、保偏光纤和外部接口，其中：保偏光纤与基座固定连接，通过光纤端面耦合直接将偏振光耦合进铌酸锂脊型波导，保偏光纤的快轴方向与铌酸锂晶体的晶轴方向一致。
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