[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供基底，基底上具有介质层，介质层内具有贯穿介质层厚度的第一开口，位于第一开口两侧的基底内具有源漏掺杂区；在第一开口底部及侧壁上形成高k栅介质层；在高k栅介质层上形成填充满第一开口的牺牲层；形成贯穿所述介质层厚度的凹槽，凹槽底部露出源漏掺杂区表面；在凹槽底部形成金属膜；对金属膜进行退火处理，形成硅化金属层；在硅化金属层上形成填充满凹槽的导电层；之后，去除所述牺牲层，在介质层内形成第二开口；在第二开口的底部和侧壁上形成N型功函数层；在N型功函数层上形成填充满第二开口的金属栅。本发明能够避免半导体结构的阈值电压失配，改善半导体结构的性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有介质层，所述介质层内具有贯穿所述介质层厚度的第一开口，位于所述第一开口两侧的所述基底内具有源漏掺杂区；在所述第一开口底部及侧壁上形成高k栅介质层；在所述高k栅介质层上形成填充满所述第一开口的牺牲层；形成贯穿所述介质层厚度的凹槽，所述凹槽底部露出所述源漏掺杂区表面；在所述凹槽底部形成金属膜；对所述金属膜进行退火处理，形成硅化金属层；在所述硅化金属层上形成填充满所述凹槽的导电层；在形成所述导电层之后，去除所述牺牲层，在所述介质层内形成第二开口；在所述第二开口的底部和侧壁上形成N型功函数层；在所述N型功函数层上形成填充满所述第二开口的金属栅。