[发明专利]快恢复二极管的制备方法

摘要

本发明提供一种快恢复二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一N型重掺杂硅衬底，并于其上依次形成N型外延层、P型掺杂层、P型重掺杂层、缓冲层和正面图形保护层；于N型重掺杂硅衬底的背面溅射铂金层；进行第一热处理工艺，于N型重掺杂硅衬底的背面形成铂硅化合物层；进行第二热处理工艺，使铂原子向结构内部扩散；干法刻蚀去除缓冲层和正面图形保护层；对N型重掺杂硅衬底的背面进行减薄；制作快恢复二极管的P电极及N电极。通过从N型重掺杂硅衬底背面进行铂原子的扩散，使结构内的铂原子分布均匀，从而有效改善了电极的欧姆接触，大幅度提高了快恢复二极管正向导通压降的均匀性和稳定性，最终提高产品的制备良率。

主权项

1.一种快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：1)提供一N型重掺杂硅衬底，于所述N型重掺杂硅衬底上形成N型外延层，于所述N型外延层的表层中形成P型掺杂层，于所述P型掺杂层的表层中形成P型重掺杂层，作为P电极的欧姆接触层；2)于所述P型重掺杂层上依次形成缓冲层和正面图形保护层；3)于所述N型重掺杂硅衬底的背面溅射铂金层；4)进行第一热处理工艺使所述铂金层与所述N型重掺杂硅衬底反应，于所述N型重掺杂硅衬底的背面形成铂硅化合物层；5)进行第二热处理工艺使所述铂硅化合物层中的铂原子向结构内部扩散，直至所述铂原子至少扩散至所述P型掺杂层的正表面；6)采用干法刻蚀的方法，去除所述缓冲层和正面图形保护层；7)对所述N型重掺杂硅衬底的背面进行减薄，以去除铂原子浓度偏高的部分N型重掺杂硅衬底；8)制作快恢复二极管的P电极及N电极。