[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201710953109.0 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN109671736B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 刘志建;谢朝景;杨玉如;周孝邦 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00;H01L29/51;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包含有一基底，该基底中包含有一扩散区，一晶体管结构，位于该基底上，以及一电阻式随机存取存储器(RRAM)位于该基底上，其中该电阻式随机存取存储器包含有至少一金属硅化物层直接接触该扩散区，以及一下电极、一电阻转换层与一上电极依序位于该金属硅化物层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包含有:基底，该基底中包含有一扩散区；晶体管结构，位于该基底上；以及电阻式随机存取存储器(RRAM)，位于该基底上，其中该电阻式随机存取存储器包含有至少一金属硅化物层直接接触该扩散区，以及一下电极、一电阻转换层与一上电极依序位于该金属硅化物层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
