[发明专利]电致发光层及其制备方法、电致发光器件、显示和照明装置在审

专利信息
申请号: 201710954085.0 申请日: 2017-10-13
公开(公告)号: CN108963083A 公开(公告)日: 2018-12-07
发明(设计)人: 李哲;谢相伟;宋晶尧;付东 申请(专利权)人: 广东聚华印刷显示技术有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 林青中
地址: 510000 广东省广州市广州*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种电致发光层及其制备方法、电致发光器件、显示和照明装置,其中电致发光层包括纳米晶体半导体材料和Cu(I)配合物发光材料,所述Cu(I)配合物发光材料是发光波长为380nm~780nm的一价铜配位化合物发光材料,且所述Cu(I)配合物发光材料的峰值发射波长小于所述纳米晶体半导体材料的峰值发射波长。所述Cu(I)配合物适于收集未被纳米晶体半导体材料俘获的空穴并形成复合激子,并将能量有效地传递给纳米晶体半导体材料,可以维持载流子平衡,提高电致发光层和含有该电致发光层的电致发光器件的寿命。
搜索关键词: 电致发光层 半导体材料 发光材料 纳米晶体 配合物 电致发光器件 峰值发射波长 照明装置 制备 空穴 配位化合物 载流子平衡 发光波长 一价铜 有效地 俘获 激子 复合 传递
【主权项】:
1.一种电致发光层,其特征在于,包括纳米晶体半导体材料和Cu(I)配合物发光材料,其中,所述Cu(I)配合物发光材料是发光波长为380nm~780nm的一价铜配位化合物发光材料,所述Cu(I)配合物发光材料的峰值发射波长小于所述纳米晶体半导体材料的峰值发射波长。
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