[发明专利]鼎状四胺芘及制备方法、鼎状四胺芘薄膜修饰的电极及制备方法有效
| 申请号： | 201710954211.2 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107674021B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 钟羽武;唐健洪;邵将洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C07D213/38 | 分类号： | C07D213/38;C07C255/58;C07C253/30;C07C229/60;C07C227/18 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 龚颐雯;彭霜 |
| 地址： | 100190 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种鼎状四胺芘及制备方法、鼎状四胺芘薄膜修饰的电极及制备方法，属于电极表面修饰材料技术领域，解决了现有技术中界面修饰方法采用的桥联分子体系合成难、稳定性差以及表面吸附效率低的问题。该鼎状四胺芘，具有如下结构，采用1,3,6,8‑四溴芘与二芳胺衍生物在钯催化剂的催化下发生偶联反应制得。本发明提供的鼎状四胺芘可用于修饰电极。 |
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| 搜索关键词： | 鼎状 四胺 制备 电极 修饰 薄膜 电极表面修饰材料 表面吸附 界面修饰 偶联反应 桥联分子 修饰电极 钯催化剂 二芳胺 可用 催化 合成 | ||
【主权项】：
1.一种鼎状四胺芘，其特征在于，具有式I所示结构：![]()
所述R为吡啶、氰基或羧酸基。
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